10月14日至16日，第28届半导体展（SEDEX 2026）在首尔举行。三星电子在展会上宣布，其4F² DRAM技术开发已完成，量产计划将根据客户需求进行调整。此前，中国长鑫存储透露，预计2026年底将发布基于4F²架构的服务器DDR5 RDIMM产品，激起了市场关注。
4F²架构的关键在于将DRAM存储单元的面积从目前的6F²压缩至4F²，这一变化使得单元面积减少约30%，理论集成密度提升约50%。三星在今年2月的ISSCC 2026上首次展示了16Gb 4F² DRAM原型，采用了垂直沟道晶体管（VCT）和晶圆级混合键合工艺。根据三星的规划，预计在2026年完成10a DRAM的开发，2027年进行质量测试，并在2028年实现量产，后续10b和10c世代将继续优化4F²架构。
长鑫存储则在10月9日至10日的IC晶粒大会上宣布到年底将推出结合4F²架构的新一代DDR5 RDIMM产品。该架构采用自研的VSG垂直环绕栅极晶体管，以增强栅极控制和解决漏电问题，目前长鑫已获得超过300项4F²相关专利。然而，该消息被市场解读为长鑫可能在4F²架构上领先三星约两年，但多位分析师对此持保留态度。
投资机构Rosenblatt认为，判断长鑫已取得决定性领先为时尚早。而美国银行则指出，因美国对先进半导体制造设备的出口限制，长鑫可能更多依赖单元结构的创新而非先进光刻技术来缩小芯片面积。一些韩国半导体专家批评称，长鑫的发布没有提及大规模量产或样品供应等具体商业化信息，更多是一种营销策略，而非真正的量产信号。
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